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首頁(yè)新聞中心 第一篇:6G光模塊應(yīng)用晶振X1G006131000200高穩(wěn)定性振蕩器

第一篇:6G光模塊應(yīng)用晶振X1G006131000200高穩(wěn)定性振蕩器

來(lái)源:http://www.dvezx.cn 作者:康比電子 2023年07月12
疫情開(kāi)創(chuàng)了遠(yuǎn)程工作和遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)的“新常態(tài)”,導(dǎo)致數(shù)據(jù)流量加速增長(zhǎng)。網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)維持這一趨勢(shì)變得越來(lái)越重要,對(duì)安裝在數(shù)據(jù)中心內(nèi)部的光模塊有著巨大的需求。愛(ài)普生一直通過(guò)石英晶體振蕩器SG2520系列支持這一點(diǎn),該系列在2.5 x 2.0 mm的小尺寸中提供低抖動(dòng)和高穩(wěn)定性。光學(xué)模塊正在向更高的數(shù)據(jù)速率發(fā)展,如400G、800G和更高。這些模塊需要更小的晶體振蕩器來(lái)容納更大的DSP。愛(ài)普生提供更小的2.0 x 1.6毫米晶體振蕩器,其性能與當(dāng)前的2.5 x 2.0毫米有源晶振晶體振蕩器相同,如低抖動(dòng)和高穩(wěn)定性。憑借這一新產(chǎn)品,愛(ài)普生能夠在客戶的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更靈活的布局,提高設(shè)備的性能。愛(ài)普生的這些變化符合我們通過(guò)技術(shù)進(jìn)步造福社會(huì)的承諾。
6G光模塊應(yīng)用晶振X1G006131000200高穩(wěn)定性振蕩器

光模塊市場(chǎng)的需求

(1) PAM4

由于高速寬帶網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展,光調(diào)制格式正從NRZ向PAM4轉(zhuǎn)變。PAM4的帶寬是NRZ的兩倍

PAM4要求低抖動(dòng),因?yàn)樾盘?hào)電平小于NRZ,難以保證信號(hào)檢測(cè)精度。可接受的BER需要大約100 fs。小型化光學(xué)模塊需要小尺寸和低電流消耗。頻率容差50 x 10-6就足夠了。

(2) 400ZR

400ZR / 800ZR是用于400/800 Gbps高速通信的相干光技術(shù)。相干光調(diào)制數(shù)據(jù),允許更高的數(shù)據(jù)速率。800ZR現(xiàn)在正致力于定義。

6G光模塊應(yīng)用晶振X1G006131000200高穩(wěn)定性振蕩器
DSP內(nèi)部的DAC/ADC需要極低抖動(dòng)的采樣時(shí)鐘,并且在GHz頻段內(nèi)處理400/800G信號(hào)。為了產(chǎn)生這個(gè)時(shí)鐘,需要一個(gè)高頻、低抖動(dòng)和高穩(wěn)定性的SPXO石英貼片晶振。此外,還需要更低的電流消耗和更小的尺寸。愛(ài)普生SPXOs提供全部。

愛(ài)普生通過(guò)SG2016系列提供解決方案

SG2016系列:高穩(wěn)定性、低抖動(dòng)晶體振蕩器,尺寸縮小至SG2520的64 %(面積)、54 %(體積)

SG2016系列結(jié)合了HFF (*1)晶體芯片和愛(ài)普生的內(nèi)部IC,提供高頻率、高穩(wěn)定性和低抖動(dòng)。憑借這些特性,SG2016系列石英晶振最適合800G+光模塊。
(*1) HFF =高頻基波
- PAM4: SG2016EGN/VGN最佳匹配,低抖動(dòng)、低功耗、小尺寸
- 400ZR: SG2016EHN/VHN最適合,高穩(wěn)定性20 x 10-6低抖動(dòng)、低電流消耗、小尺寸
6G光模塊應(yīng)用晶振X1G006131000200高穩(wěn)定性振蕩器

應(yīng)用程序:
光學(xué)模塊
(針對(duì)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,路由器,交換機(jī)等。)
數(shù)據(jù)中心
測(cè)試和測(cè)量設(shè)備,工廠自動(dòng)化
ADC和DAC等高速轉(zhuǎn)換器
SG2016系列的特點(diǎn):
1.2.0 x 1.6毫米的小尺寸
從SG2520系列縮小,面積減少64 %,體積減少54 %

6G光模塊應(yīng)用晶振X1G006131000200高穩(wěn)定性振蕩器
2.通過(guò)愛(ài)普生的獨(dú)特技術(shù)實(shí)現(xiàn)高頻率和低抖動(dòng)
HFF晶體芯片的基本振蕩有助于高頻和低相位抖動(dòng)特性。
 
HFF水晶芯片
通過(guò)僅光刻處理芯片的振蕩部分以形成厚度僅為幾微米的極薄的倒臺(tái)面結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)高頻基波而不損害晶體芯片的強(qiáng)度。

6G光模塊應(yīng)用晶振X1G006131000200高穩(wěn)定性振蕩器
低相位抖動(dòng)/相位噪聲
用于SPXO的HFF晶體芯片和內(nèi)部低噪聲IC實(shí)現(xiàn)了低相位抖動(dòng)/相位噪聲特性。
相位抖動(dòng):19 fs
- LVDS差分晶振,頻率= 391.77MHz
-偏移頻率:12 kHz至20 MHz
-電源電壓= 3.3 V

6G光模塊應(yīng)用晶振X1G006131000200高穩(wěn)定性振蕩器
3.即使在高溫下,溫度補(bǔ)償也能提供高穩(wěn)定性
20-6在+105 ℃下,包括愛(ài)普生內(nèi)部IC的10年老化
貼片晶振 型號(hào) 頻率 尺寸 輸出波 電源電壓
X1G006111000200 SG2016VGN 156.250000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm LVDS 3.135 to 3.465 V
X1G006111000500 SG2016VGN 156.250000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm LVDS 3.135 to 3.465 V
X1G006121000100 SG2016VHN 156.250000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm LVDS 3.135 to 3.465 V
X1G006121000300 SG2016VHN 156.250000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm LVDS 3.135 to 3.465 V
X1G006121000400 SG2016VHN 156.250000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm LVDS 1.710 to 1.890 V
X1G006121000500 SG2016VHN 156.250000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm LVDS 1.710 to 1.890 V
X1G006121060100 SG2016VHN 491.520000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm LVDS 3.135 to 3.465 V
X1G006131000100 SG2016EGN 156.250000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V
X1G006131000200 SG2016EGN 156.250000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V
X1G006131000300 SG2016EGN 156.250000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm LV-PECL 2.375 to 2.625 V
X1G005941000115 SG2520VHN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 3.135 to 3.465V
X1G005941000215 SG2520VHN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 2.375 to 2.625V
X1G005941000315 SG2520VHN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 1.710 to 1.890V
X1G005941000415 SG2520VHN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 1.710 to 1.890V
X1G005941000515 SG2520VHN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 3.135 to 3.465V
X1G005941000615 SG2520VHN 155.520000MHz 進(jìn)口晶振 LVDS 3.135 to 3.465V
X1G005941000715 SG2520VHN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 1.710 to 1.890V
X1G005941000815 SG2520VHN 174.703000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 2.375 to 2.625V
X1G005941000915 SG2520VHN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 2.375 to 2.625V
X1G005941001015 SG2520VHN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 3.135 to 3.465V
X1G005941001115 SG2520VHN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 1.710 to 1.890V
X1G005901000215 SG2520VGN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 1.710 to 1.890V
X1G005901000315 SG2520VGN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 2.375 to 2.625V
X1G005901000415 SG2520VGN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 3.135 to 3.465V
X1G005901000615 SG2520VGN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 2.375 to 2.625V
X1G005901000715 SG2520VGN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 1.710 to 1.890V
X1G005901000815 SG2520VGN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LVDS 2.375 to 2.625V
X1G005881000100 SG2520EGN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LV-PECL 3.135 to 3.465V
X1G005881000200 SG2520EGN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LV-PECL 3.135 to 3.465V
X1G005881000300 SG2520EGN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LV-PECL 2.375 to 2.625V
X1G005881000500 SG2520EGN 156.250000MHz 2.50x2.00x0.84mm LV-PECL 3.135 to 3.465V

 

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