常見(jiàn)問(wèn)題

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TXC晶振強(qiáng)大之處原來(lái)可... 說(shuō)到晶振你會(huì)想到誰(shuí)?TXC晶振,較為出名的晶振廠家,屬于臺(tái)灣進(jìn)口晶振一部分.該公司成立于...

電子書(shū)籍市場(chǎng)的晶振器件... 現(xiàn)在的電子書(shū)籍的內(nèi)容是將已經(jīng)出版的紙書(shū)籍的文字和插圖轉(zhuǎn)換成數(shù)字信息的電子文件通過(guò)印...

低ESR50兆赫晶振優(yōu)化性... 隨著最近更精確的封裝制造技術(shù),將晶體和有源電路管芯包含在同一封裝中已經(jīng)變得可行.對(duì)于...

為了您的應(yīng)用選擇合適的... 為了為您的應(yīng)用選擇合適的晶體，必須仔細(xì)研究以下考慮因素:為什么我的水晶有時(shí)能工作,但...

石英晶體振蕩器振蕩電路... 振蕩電流是一種大小和方向都隨周期發(fā)生變化的電流,能產(chǎn)生振蕩電流的電路就叫做振蕩電路...

首頁(yè)進(jìn)口晶振SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振

SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振

產(chǎn)品型號(hào)：24942772
頻率：32.768KHZ
尺寸：1.5*0.8mm
產(chǎn)品介紹：硅MEMS計(jì)時(shí)裝置的性能繼續(xù)迅速改善,并超過(guò)了基于石英的定時(shí)裝置的性能.硅制造技術(shù)生產(chǎn)具有亞微米特征和納米精度的設(shè)備.MEMS諧振器是在硅晶圓中制造的,它的改進(jìn)是由...

SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振,硅MEMS計(jì)時(shí)裝置的性能繼續(xù)迅速改善,并超過(guò)了基于石英的定時(shí)裝置的性能.硅制造技術(shù)生產(chǎn)具有亞微米特征和納米精度的設(shè)備.MEMS諧振器是在硅晶圓中制造的,它的改進(jìn)是由更精細(xì)的幾何圖形制成的.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	32.768KHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.2 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -20℃ to +70℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.dvezx.cn
		H: -40℃ to +85℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

SiTime晶振產(chǎn)品線路焊接安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

晶振產(chǎn)品類型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號(hào)晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C

(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振

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