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Model425晶振,2520四腳貼片晶振,MHZ石英晶振高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態.
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參數 | Model425晶振 | ||||
工作模式 | 基本 | 第三次泛音 | |||
頻率范圍 | 10 MHz to 40MHz | 10MHz to40MHz | |||
水晶切割 | AT截法 | ||||
頻率公差@ 25°C | ±10ppm, ±15ppm, ±20 ppm, ±30 ppm, ±50 ppm | ||||
頻率穩定度公差1 (工作溫度范圍,引用到25°C閱讀) |
±15 ppm, ±20 ppm, ±30 ppm, ±50 ppm, ±100 ppm |
||||
工作溫度范圍1 |
-40°C to +85°C [All Stability Codes] -40°C to +105°C [Stability Code 3, 5, 6] -40°C to +125°C [Stability Code 5, 6] |
||||
等效串聯電阻 | 8.000 MHz - 9.999 MHz | 150 Ohms maximum | |||
24.000 MHz - 53.999 MHz | 150 Ohms maximum | ||||
54.000 MHz - 120MHZ | 100 Ohms maximum | ||||
10.000 MHz - 15.999 MHz | 60 Ohms maximum | ||||
16.000 MHz - 40.000 MHz | 50 Ohms maximum | ||||
負載電容或共振模式(見訂購信息更多的選項) | 10pF, 12pF, 16pF, Series standard | ||||
Capacitance(Shunt詳細) | 3.0 pF typical, 5.0 pF maximum | ||||
激勵功率 | 10 μW typical, 100 μW maximum | ||||
老化@ + 25°C | ±5 ppm/yr maximum | ||||
絕緣電阻(@直流100 v) |
500M Ohms minimum | ||||
儲存溫度范圍 | -40°C to +125°C | ||||
回流條件下,按JEDEC j - std - 020 | +260°C maximum, 10 Seconds maximum |

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自從歐盟頒布各項綠色環保指令(如RoHS)后,世界各國已陸續制定公布相關之法令規章,推動「綠色產品」的發展.西迪斯電子為了對環境與人類貢獻一己之力,導入綠色設計之概念,致力生產符合國際綠色環保指令與客戶特殊要求之產品.我們知道,人類的永續發展需要干凈的環境,如果我們產品中的物質會對環境造成污染,影響到人類生存的基本條件,不論產品的功能再先進再齊全,也無法對環境與社會帶來多大的幫助.
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美國西迪斯科技產品技術方面,除了不斷提升既有產品規格的精密度及穩定性之外,我們更專注開發高溫度耐受性的產品、特殊應用領域之規格,并朝小型化開發設計,以滿足終端產品的發展趨勢.西迪斯電子歷經近40年的經營,在追求技術及銷售之馀,我們更竭力于環境的保護,投入綠色化產品及材料的開發,秉持『取之于社會,用之于社會』的理念,推動環保、節能及社會回饋等生活概念,期盼帶動我們企業的同仁、供應商伙伴及客戶群參與并發起社會活動,共同創造美好、健康的未來.

1.解析目的與步驟
a) 實際量測電路板上頻率波型與公差.
(Crystal on board test to verify tolerance and waveform)
b) 量測振蕩電路負性電阻值 –R .
(Measure the Negative Resistance(-R) of the oscillation circuit)
c) 調整C1 C2電容以得到更大的頻率變化寬裕度.
(Modify the C1,C2 to obtain bigger allowance)
d) 根據以上電路板量測數據建議適當振蕩子規格.
(Suggest the crystal specification based on above test)
2.分析過程中使用到之設備:


a) 實際量測電路板上頻率波型與公差.
(Crystal on board test to verify tolerance and waveform)
b) 量測振蕩電路負性電阻值 –R .
(Measure the Negative Resistance(-R) of the oscillation circuit)
c) 調整C1 C2電容以得到更大的頻率變化寬裕度.
(Modify the C1,C2 to obtain bigger allowance)
d) 根據以上電路板量測數據建議適當振蕩子規格.
(Suggest the crystal specification based on above test)
2.分析過程中使用到之設備:





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